第三百零四章 谋划超S（2/4）

接下来，有请廉教授就下一代光刻机研发计划，做一下总体规划。”

廉安平教授拿出一份手写的稿子，清了清嗓子说道：

“当初刘老板提供的光刻机研发资料中，有一份微米光刻机研发概要，点明了几个研发要点，包括光源，透镜系统，双工台，掩模台等等。

其中双工台、掩膜台、控制系统、晶圆传输系统，可以通过一微米光刻机的相关部件进行升级改造达成，难度不是太大。

但为了达到微米的加工精度，光源系统和透镜系统需要重新设计，重新打造，这个难度不是一般的大。”

乌光辉跟着发言道：

“我是搞激光技术出身，在光刻机光源方面有一定研究。光刻分辨率想要达到微米，光源波长需要达到365nm以下，且对光源强度和均匀度都有非常严格的要求。咱们在一微米光刻机上使用的高压汞灯，理论上其极限能达微米的加工精度，但需要对其结构进行彻底的改造，且越是接近极限，越难以达成。

而被业界普遍认定是下一代光刻机光源的krf（氟化氪）准分子激光，光源波长为248nm，可以使最小工艺节点提升至350-180nm水平。当今世界上，很多激光相关的研究所，都在对准分子激光进行研发，进度参差不齐，达到实用水平的，一个都没有。

我的建议是，在光刻机光源方面，两种线路同时研发，哪个率先取得突破，下一代微米光刻机上，就使用哪一种光源。”